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3 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'comportement dynamique'
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Aéro-hydro-élasticité
Titre : Aéro-hydro-élasticité : recherches actuelles et applications industrielles ; cycle de conférences tenu à Ermenanville du 4 au 8 septembre 1972 Type de document : texte imprimé Editeur : CEA-EDF Année de publication : 1973 Collection : Collection du Centre de Recherches et d'essais de Chatou Importance : 830 p. Note générale : Poids de l'article : 1.15 kg
ISBN-10 : 2212015038
ISBN-13 : 978-2212015034
Dimensions du produit : 15.5 x 4 x 23.9 cm
Éditeur : Eyrolles (1 octobre 1973)
Langue : : FrançaisMots-clés : comportement aéroélastique vibration écoulement comportement dynamique hédroélastique Index. décimale : 621.3 Résumé : Sommaire :
comportement aéroélastiqueElectronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce deuxième volume présente l'application des propriétés des matériaux et analyse le fonctionnement physique et pratique des composants qui exploitent les propriétés induites par la juxtaposition de matériaux différents.
Après avoir décrit les fondements physiques de l'interaction des rayonnements avec les semiconducteurs, cet ouvrage explique le fonctionnement des composants et plus particulièrement celui des dispositifs photo-électroniques. Les interfaces jouant un rôle essentiel, les applications aux composants classiques de ces propriétés électroniques (jonctions, transistors MOS notamment) sont détaillées. La présentation des mécanismes de photo-conduction permet ensuite de mieux comprendre les applications des phénomènes de photo-conduction principalement les photo-récepteurs et les photo-émetteurs.
Un développement plus particulier est fait pour les cellules photovoltaïques (avec l'optimisation de leurs paramètres de fonctionnement) et les diodes électroluminescentes en tenant compte de leur insertion dans les systèmes d'affichage.
vibration
écoulement
comportement dynamique
comportement hédroélastiqueNote de contenu : index Aéro-hydro-élasticité : recherches actuelles et applications industrielles ; cycle de conférences tenu à Ermenanville du 4 au 8 septembre 1972 [texte imprimé] . - Paris : CEA-EDF, 1973 . - 830 p.. - (Collection du Centre de Recherches et d'essais de Chatou) .
Poids de l'article : 1.15 kg
ISBN-10 : 2212015038
ISBN-13 : 978-2212015034
Dimensions du produit : 15.5 x 4 x 23.9 cm
Éditeur : Eyrolles (1 octobre 1973)
Langue : : Français
Mots-clés : comportement aéroélastique vibration écoulement comportement dynamique hédroélastique Index. décimale : 621.3 Résumé : Sommaire :
comportement aéroélastiqueElectronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce deuxième volume présente l'application des propriétés des matériaux et analyse le fonctionnement physique et pratique des composants qui exploitent les propriétés induites par la juxtaposition de matériaux différents.
Après avoir décrit les fondements physiques de l'interaction des rayonnements avec les semiconducteurs, cet ouvrage explique le fonctionnement des composants et plus particulièrement celui des dispositifs photo-électroniques. Les interfaces jouant un rôle essentiel, les applications aux composants classiques de ces propriétés électroniques (jonctions, transistors MOS notamment) sont détaillées. La présentation des mécanismes de photo-conduction permet ensuite de mieux comprendre les applications des phénomènes de photo-conduction principalement les photo-récepteurs et les photo-émetteurs.
Un développement plus particulier est fait pour les cellules photovoltaïques (avec l'optimisation de leurs paramètres de fonctionnement) et les diodes électroluminescentes en tenant compte de leur insertion dans les systèmes d'affichage.
vibration
écoulement
comportement dynamique
comportement hédroélastiqueNote de contenu : index Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST5382 621.3/46.2 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 500 - Sciences de la nature et Mathématiques Exclu du prêt Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré
Titre de série : Dispositifs au silicium, 1 Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science publ. Année de publication : DL 2004, cop. 2004. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Trait© EGEM Sous-collection : lectronique et micro-©lectronique. Importance : 1 vol. (335 p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Prix : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré approche descriptive bilan des courants facteur gains apport hypothèses fonctionnement formulation relation schéma mécanismes comportement dynamique fréquence modèle de gummel et poon résistance capacité base emetteur silicium courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g
Relié : 332 pages
ISBN-10 : 274620987X
ISBN-13 : 978-2746209879
Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004)
Langue : : FrançaisDispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....), . - Paris : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, DL 2004, cop. 2004. . - 1 vol. (335 p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Trait© EGEM. lectronique et micro-©lectronique.) .
ISBN : 978-2-7462-0987-9 : 110 EUR
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré approche descriptive bilan des courants facteur gains apport hypothèses fonctionnement formulation relation schéma mécanismes comportement dynamique fréquence modèle de gummel et poon résistance capacité base emetteur silicium courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g
Relié : 332 pages
ISBN-10 : 274620987X
ISBN-13 : 978-2746209879
Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004)
Langue : : FrançaisRéservation
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Exemplaires (3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST7026 621.38/273.1 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Exclu du prêt ST7027 621.38/273.2 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Disponible ST7028 621.38/273.3 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Disponible La maîtrise du calcul en mécanique linéaire et non linéaire / Pierre Ladevèze
Titre : La maîtrise du calcul en mécanique linéaire et non linéaire Type de document : texte imprimé Auteurs : Pierre Ladevèze (1945-....), Auteur ; Jean-Pierre Pelle (1945-....), Auteur Editeur : Paris : Hermès science publications Année de publication : 2001 Collection : Études en mécanique des matériaux et des structures, ISSN 1264-4692 Importance : 408 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0277-1 Prix : Prix : 97 EUR : 636,28 F Note générale : 408 pages
ISBN-10 : 2746202778
ISBN-13 : 978-2746202771
Dimensions du produit : 23.5 x 2.2 x 15.5 cm
Éditeur : Hermes Science Publications (27 septembre 2001)
Langue : : FrançaisLangues : Français (fre) Mots-clés : éléments finis problèmes linéaires estimateurs maillager comportement dynamique l'adaptation des maillages pour les problemes linéaires comportement en dynamique champs admissibles Index. décimale : 531 Résumé : Cet ouvrage traite de la maîtrise des hypothèses de passage d'un modèle mécanique, généralement issu de la mécanique des milieux continus, à un modèle numérique, c'est à dire de la maîtrise du calcul proprement dit en mécanique. Une attention particulière est portée au calcul des structures, qui, en la matière, est le domaine le plus avancé. Le terme "Structure" désigne l'enveloppe matière, les structures pouvant être constituées de matériaux métalliques, de matériaux composites, de biomatériaux, avec des environnements solides, fluides ou gazeux. Les modèles étudiés ne sont pas nécessairement linéaires et de fortes non linéarités peuvent être présentes (plasticité, viscoplasticité, contact unilatéral). Note de contenu : Bibliogr. p. 385-406. Index La maîtrise du calcul en mécanique linéaire et non linéaire [texte imprimé] / Pierre Ladevèze (1945-....), Auteur ; Jean-Pierre Pelle (1945-....), Auteur . - Paris : Hermès science publications, 2001 . - 408 p. : ill. ; 24 cm. - (Études en mécanique des matériaux et des structures, ISSN 1264-4692) .
ISBN : 978-2-7462-0277-1 : Prix : 97 EUR : 636,28 F
408 pages
ISBN-10 : 2746202778
ISBN-13 : 978-2746202771
Dimensions du produit : 23.5 x 2.2 x 15.5 cm
Éditeur : Hermes Science Publications (27 septembre 2001)
Langue : : Français
Langues : Français (fre)
Mots-clés : éléments finis problèmes linéaires estimateurs maillager comportement dynamique l'adaptation des maillages pour les problemes linéaires comportement en dynamique champs admissibles Index. décimale : 531 Résumé : Cet ouvrage traite de la maîtrise des hypothèses de passage d'un modèle mécanique, généralement issu de la mécanique des milieux continus, à un modèle numérique, c'est à dire de la maîtrise du calcul proprement dit en mécanique. Une attention particulière est portée au calcul des structures, qui, en la matière, est le domaine le plus avancé. Le terme "Structure" désigne l'enveloppe matière, les structures pouvant être constituées de matériaux métalliques, de matériaux composites, de biomatériaux, avec des environnements solides, fluides ou gazeux. Les modèles étudiés ne sont pas nécessairement linéaires et de fortes non linéarités peuvent être présentes (plasticité, viscoplasticité, contact unilatéral). Note de contenu : Bibliogr. p. 385-406. Index Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST4107 531/109.1 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 500 - Sciences de la nature et Mathématiques Exclu du prêt