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La Dissolution des minéraux / Jean-Claude Touray
Titre : La Dissolution des minéraux : Aspects cinétiques Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Claude Touray, Auteur Editeur : Paris : Masson Année de publication : 1979 Importance : X-109 p. Présentation : graph. Format : 24 *17cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-225-64878-6 Prix : 84 F Note générale : Titre La dissolution des minéraux: aspects cinétiques
Auteur J. C. Touray
Éditeur Masson, 1980
Original provenant de l'Université de Californie
Numérisé 11 avr. 2008
ISBN 2225648786, 9782225648786
Longueur 109 pagesLangues : Français (fre) Mots-clés : dissolution scenarios solid reaction controlled dissolutions dissolution curves feldspars dissolution chrysotile dissolution APPROCHE DESCRIPTIVE MODES ET SCéNARIOS DE DISSOLUTIONS L'INTERFACE MINéRALE SOLUTION CARACTéRES ET PROPRIéTES VITESSE DE DISSOLUTION DES MINéRAUX LE CONTROLE PAR LA RéACTION CHIMIQUE PHéNOMéNES DE TRANSPORT ET DISSOLUTION MINéRALE LA RéGLE DU PRODUIT DE SOLUBILITé L'INTERPRéTATION DES COURBES CINéTIQUES DE DISSOLUTION OBTENUES EN SYSTéME FERMé LA DISSOLUTION DES FELDSPATHS LA DISSOLUTION DU CHRYSOTILE Index. décimale : 546 Chimie Inorganique Résumé : Courte synthèse envisageant la dissolution des minéraux sous l'aspect du "transfert des éléments chimiques d'une phase solide à une solution aqueuse". Huit chapitres : Approche descriptive - Caractères et propriétés de l'interface minéral-solution - Vitesse de dissolution des minéraux - Phénomènes de transport et dissolution minérale - La règle du produit de solubilité - L'interprétation des courbes cinétiques de dissolution obtenues en système fermé - La dissolution des feldspaths - La dissolution du chrysotile. [SDM].SOMMAIRE:APPROCHE DESCRIPTIVE:MODES ET SC2NARIOS DE DISSOLUTIONS-L'INTERFACE MINéRALE-SOLUTION,CARACTéRES ET PROPRIéTES-VITESSE DE DISSOLUTION DES MINéRAUX:LE CONTROLE PAR LA RéACTION CHIMIQUE-PHéNOMéNES DE TRANSPORT ET DISSOLUTION MINéRALE-LA RéGLE DU PRODUIT DE SOLUBILITé-L'INTERPRéTATION DES COURBES CINéTIQUES DE DISSOLUTION OBTENUES EN SYSTéME FERMé-LA DISSOLUTION DES FELDSPATHS-LA DISSOLUTION DU CHRYSOTILE Note de contenu : Bibliogr. p. 101-105. Index La Dissolution des minéraux : Aspects cinétiques [texte imprimé] / Jean-Claude Touray, Auteur . - Paris : Masson, 1979 . - X-109 p. : graph. ; 24 *17cm.
ISBN : 978-2-225-64878-6 : 84 F
Titre La dissolution des minéraux: aspects cinétiques
Auteur J. C. Touray
Éditeur Masson, 1980
Original provenant de l'Université de Californie
Numérisé 11 avr. 2008
ISBN 2225648786, 9782225648786
Longueur 109 pages
Langues : Français (fre)
Mots-clés : dissolution scenarios solid reaction controlled dissolutions dissolution curves feldspars dissolution chrysotile dissolution APPROCHE DESCRIPTIVE MODES ET SCéNARIOS DE DISSOLUTIONS L'INTERFACE MINéRALE SOLUTION CARACTéRES ET PROPRIéTES VITESSE DE DISSOLUTION DES MINéRAUX LE CONTROLE PAR LA RéACTION CHIMIQUE PHéNOMéNES DE TRANSPORT ET DISSOLUTION MINéRALE LA RéGLE DU PRODUIT DE SOLUBILITé L'INTERPRéTATION DES COURBES CINéTIQUES DE DISSOLUTION OBTENUES EN SYSTéME FERMé LA DISSOLUTION DES FELDSPATHS LA DISSOLUTION DU CHRYSOTILE Index. décimale : 546 Chimie Inorganique Résumé : Courte synthèse envisageant la dissolution des minéraux sous l'aspect du "transfert des éléments chimiques d'une phase solide à une solution aqueuse". Huit chapitres : Approche descriptive - Caractères et propriétés de l'interface minéral-solution - Vitesse de dissolution des minéraux - Phénomènes de transport et dissolution minérale - La règle du produit de solubilité - L'interprétation des courbes cinétiques de dissolution obtenues en système fermé - La dissolution des feldspaths - La dissolution du chrysotile. [SDM].SOMMAIRE:APPROCHE DESCRIPTIVE:MODES ET SC2NARIOS DE DISSOLUTIONS-L'INTERFACE MINéRALE-SOLUTION,CARACTéRES ET PROPRIéTES-VITESSE DE DISSOLUTION DES MINéRAUX:LE CONTROLE PAR LA RéACTION CHIMIQUE-PHéNOMéNES DE TRANSPORT ET DISSOLUTION MINéRALE-LA RéGLE DU PRODUIT DE SOLUBILITé-L'INTERPRéTATION DES COURBES CINéTIQUES DE DISSOLUTION OBTENUES EN SYSTéME FERMé-LA DISSOLUTION DES FELDSPATHS-LA DISSOLUTION DU CHRYSOTILE Note de contenu : Bibliogr. p. 101-105. Index Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST7524 546/29.1 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 500 - Sciences de la nature et Mathématiques Exclu du prêt ST7525 546/29.2 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 500 - Sciences de la nature et Mathématiques Disponible Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré
Titre de série : Dispositifs au silicium, 1 Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science publ. Année de publication : DL 2004, cop. 2004. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Trait© EGEM Sous-collection : lectronique et micro-©lectronique. Importance : 1 vol. (335 p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Prix : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré approche descriptive bilan des courants facteur gains apport hypothèses fonctionnement formulation relation schéma mécanismes comportement dynamique fréquence modèle de gummel et poon résistance capacité base emetteur silicium courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g
Relié : 332 pages
ISBN-10 : 274620987X
ISBN-13 : 978-2746209879
Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004)
Langue : : FrançaisDispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....), . - Paris : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, DL 2004, cop. 2004. . - 1 vol. (335 p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Trait© EGEM. lectronique et micro-©lectronique.) .
ISBN : 978-2-7462-0987-9 : 110 EUR
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré approche descriptive bilan des courants facteur gains apport hypothèses fonctionnement formulation relation schéma mécanismes comportement dynamique fréquence modèle de gummel et poon résistance capacité base emetteur silicium courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g
Relié : 332 pages
ISBN-10 : 274620987X
ISBN-13 : 978-2746209879
Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004)
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST7026 621.38/273.1 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Exclu du prêt ST7027 621.38/273.2 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Disponible ST7028 621.38/273.3 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Disponible