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Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré

Public ISBD Titre de série : Dispositifs au silicium, 1 Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science publ. Année de publication : DL 2004, cop. 2004. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Trait© EGEM Sous-collection : lectronique et micro-©lectronique. Importance : 1 vol. (335 p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Prix : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré  approche descriptive  bilan des courants  facteur  gains  apport  hypothèses  fonctionnement  formulation  relation  schéma  mécanismes  comportement dynamique  fréquence  modèle de gummel et poon  résistance  capacité  base  emetteur  silicium  courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g Relié : 332 pages ISBN-10 : 274620987X ISBN-13 : 978-2746209879 Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004) Langue : : Français Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....),  . - Paris : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, DL 2004, cop. 2004. . - 1 vol. (335 p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Trait© EGEM. lectronique et micro-©lectronique.) . ISBN : 978-2-7462-0987-9 : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré  approche descriptive  bilan des courants  facteur  gains  apport  hypothèses  fonctionnement  formulation  relation  schéma  mécanismes  comportement dynamique  fréquence  modèle de gummel et poon  résistance  capacité  base  emetteur  silicium  courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g Relié : 332 pages ISBN-10 : 274620987X ISBN-13 : 978-2746209879 Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004) Langue : : Français

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
ST7026	621.38/273.1	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Exclu du prêt
ST7027	621.38/273.2	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible
ST7028	621.38/273.3	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible

Traité EGEM. nouvelles,technologies de l'énergie 2

Public ISBD Titre de série : Traité EGEM Titre : nouvelles,technologies de l'énergie 2 : stokage et technologies émission réduite Type de document : texte imprimé Auteurs : Sabonnadiére, Jean-Claude (1939-2015), Editeur : Paris : Hermes science publ. Année de publication : impr. 2007. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Trait© EGEM Sous-collection : Génie électrique. Importance : 292 p Présentation : ill., fig., couv. ill. Format : 24 *17cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1502-3 Prix : 80 EUR Note générale : ISBN 978-2-7462-1502-3 Éditeur Hermès science publications Date de publication 09/02/2007 Collection GENIE ELECTRIQU Séries Nouvelles technologies de l'énergie (2 Langues : Français (fre) Mots-clés : nouvelles,technologies de l'énergie 2  vecteur électricité  renaissance  cogénération  énergétique  combustible Index. décimale : 621.04 Energie Renouvelable Résumé : Le traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support. Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants : Electronique et micro-électronique , Optoélectronique, Génie électrique, Microsystèmes. Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix. Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus. Traité EGEM. nouvelles,technologies de l'énergie 2 : stokage et technologies émission réduite [texte imprimé] / Sabonnadiére, Jean-Claude (1939-2015),  . - Paris : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, impr. 2007. . - 292 p : ill., fig., couv. ill. ; 24 *17cm.. - (Trait© EGEM. Génie électrique.) . ISBN : 978-2-7462-1502-3 : 80 EUR ISBN 978-2-7462-1502-3 Éditeur Hermès science publications Date de publication 09/02/2007 Collection GENIE ELECTRIQU Séries Nouvelles technologies de l'énergie (2 Langues : Français (fre) Mots-clés : nouvelles,technologies de l'énergie 2  vecteur électricité  renaissance  cogénération  énergétique  combustible Index. décimale : 621.04 Energie Renouvelable Résumé : Le traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support. Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants : Electronique et micro-électronique , Optoélectronique, Génie électrique, Microsystèmes. Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix. Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus.

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