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2. Modélisation du transistor bipolaire intégré2 / Philippe Cazenave

Public ISBD Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science Année de publication : cop. 2005. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Traité EGEM Importance : 1 vol. (234-IV p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Prix : 75 EUR Note générale : Éditeur ‏ : ‎ Hermes Science Publications (26 septembre 2005) Langue ‏ : ‎ Français Relié ‏ : ‎ 234 pages ISBN-10 ‏ : ‎ 2746211726 ISBN-13 ‏ : ‎ 978-2746211728 Poids de l'article ‏ : ‎ 490 g Dimensions ‏ : ‎ 16 x 24 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : modélisation du transistor bipolaire intégré 2  extraction des paramètres  structure et technologie des HBT  apport des HBT Index. décimale : 621.3 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....),  . - Paris : Hermes science : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2005. . - 1 vol. (234-IV p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Traité EGEM) . ISBN : 978-2-7462-1172-8 : 75 EUR Éditeur ‏ : ‎ Hermes Science Publications (26 septembre 2005) Langue ‏ : ‎ Français Relié ‏ : ‎ 234 pages ISBN-10 ‏ : ‎ 2746211726 ISBN-13 ‏ : ‎ 978-2746211728 Poids de l'article ‏ : ‎ 490 g Dimensions ‏ : ‎ 16 x 24 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : modélisation du transistor bipolaire intégré 2  extraction des paramètres  structure et technologie des HBT  apport des HBT Index. décimale : 621.3 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
ST229	621.3/22.1	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Exclu du prêt

Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré

Public ISBD Titre de série : Dispositifs au silicium, 1 Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science publ. Année de publication : DL 2004, cop. 2004. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Trait© EGEM Sous-collection : lectronique et micro-©lectronique. Importance : 1 vol. (335 p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Prix : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré  approche descriptive  bilan des courants  facteur  gains  apport  hypothèses  fonctionnement  formulation  relation  schéma  mécanismes  comportement dynamique  fréquence  modèle de gummel et poon  résistance  capacité  base  emetteur  silicium  courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g Relié : 332 pages ISBN-10 : 274620987X ISBN-13 : 978-2746209879 Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004) Langue : : Français Dispositifs au silicium, 1. Modélisation du transistor bipolaire intégré [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....),  . - Paris : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, DL 2004, cop. 2004. . - 1 vol. (335 p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Trait© EGEM. lectronique et micro-©lectronique.) . ISBN : 978-2-7462-0987-9 : 110 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Modélisation du transistor bipolaire intégré  approche descriptive  bilan des courants  facteur  gains  apport  hypothèses  fonctionnement  formulation  relation  schéma  mécanismes  comportement dynamique  fréquence  modèle de gummel et poon  résistance  capacité  base  emetteur  silicium  courant Index. décimale : 621.38 Résumé : modèle de Gummel ePremier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du t Poon. Note de contenu : Poids de l'article : 680 g Relié : 332 pages ISBN-10 : 274620987X ISBN-13 : 978-2746209879 Éditeur : Hermes Science Publications (26 août 2004) Langue : : Français

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
ST7026	621.38/273.1	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Exclu du prêt
ST7027	621.38/273.2	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible
ST7028	621.38/273.3	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible

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