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2. Modélisation du transistor bipolaire intégré2 / Philippe Cazenave
Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....), Editeur : Paris : Hermes science Année de publication : cop. 2005. Autre Editeur : Lavoisier Collection : Traité EGEM Importance : 1 vol. (234-IV p.) Présentation : ill. Format : 25 *18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Prix : 75 EUR Note générale : Éditeur : Hermes Science Publications (26 septembre 2005)
Langue : Français
Relié : 234 pages
ISBN-10 : 2746211726
ISBN-13 : 978-2746211728
Poids de l'article : 490 g
Dimensions : 16 x 24 cmLangues : Français (fre) Mots-clés : modélisation du transistor bipolaire intégré 2 extraction des paramètres structure et technologie des HBT apport des HBT Index. décimale : 621.3 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....), . - Paris : Hermes science : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2005. . - 1 vol. (234-IV p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-1172-8 : 75 EUR
Éditeur : Hermes Science Publications (26 septembre 2005)
Langue : Français
Relié : 234 pages
ISBN-10 : 2746211726
ISBN-13 : 978-2746211728
Poids de l'article : 490 g
Dimensions : 16 x 24 cm
Langues : Français (fre)
Mots-clés : modélisation du transistor bipolaire intégré 2 extraction des paramètres structure et technologie des HBT apport des HBT Index. décimale : 621.3 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ST229 621.3/22.1 Ouvrage Faculté des Sciences et de la Technologie 600 - Technologie (Sciences appliquées) Exclu du prêt