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Technologie microélectronique / Olivier Bonnaud

Public ISBD Titre : Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Bonnaud, Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : DL 2008. Collection : Technosup (Paris) Sous-collection : Sup©lec. Importance : 1 vol. (VI-150 p.) Présentation : ill. Format : 26 /18cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-3866-9 Prix : 27 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Technologie microélectronique  obtention du silicium  pureté chimique  charge de polysilicium  tirage de croissance  traitements et controles du cristal  mécanisme  procédés d'épitaxe  équations de diffusion  température  oxydation anodique  évaporation  gravure sèche  diodes  transistors  évolution  contraintes industrielles Index. décimale : 621.38 Résumé : introduction à technologie-obtention du silicium de qualite microélectronique-fabrication des plaquettes de silicium-étape technologique:l'expitaxie-étape technologique:la diffussion-étape technologique:l'implantation ionique-étape technologique:l'oxydation-étape technologique:les depots-étape technologique:la gravure-étape technologique:la photolithogravure-procédés de fabrication:diodes et transistors bibplaires-procédés de fabrication:transistors mos-améllioration des procédés technologiques-historique et évolution des technologies-microélectronique grande surface Note de contenu : Poids de l'article : 299 g Broché : 150 pages ISBN-10 : 272983866X ISBN-13 : 978-2729838669 Dimensions : 17.5 x 1 x 26 cm Éditeur : ELLIPSES (19 juin 2008) Langue : : Français Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés [texte imprimé] / Olivier Bonnaud,  . - Paris : Ellipses, DL 2008. . - 1 vol. (VI-150 p.) : ill. ; 26 /18cm.. - (Technosup (Paris). Sup©lec.) . ISBN : 978-2-7298-3866-9 : 27 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : Technologie microélectronique  obtention du silicium  pureté chimique  charge de polysilicium  tirage de croissance  traitements et controles du cristal  mécanisme  procédés d'épitaxe  équations de diffusion  température  oxydation anodique  évaporation  gravure sèche  diodes  transistors  évolution  contraintes industrielles Index. décimale : 621.38 Résumé : introduction à technologie-obtention du silicium de qualite microélectronique-fabrication des plaquettes de silicium-étape technologique:l'expitaxie-étape technologique:la diffussion-étape technologique:l'implantation ionique-étape technologique:l'oxydation-étape technologique:les depots-étape technologique:la gravure-étape technologique:la photolithogravure-procédés de fabrication:diodes et transistors bibplaires-procédés de fabrication:transistors mos-améllioration des procédés technologiques-historique et évolution des technologies-microélectronique grande surface Note de contenu : Poids de l'article : 299 g Broché : 150 pages ISBN-10 : 272983866X ISBN-13 : 978-2729838669 Dimensions : 17.5 x 1 x 26 cm Éditeur : ELLIPSES (19 juin 2008) Langue : : Français

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
ST5938	621.38/238.1	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Exclu du prêt
ST5939	621.38/238.2	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible
ST5940	621.38/238.3	Ouvrage	Faculté des Sciences et de la Technologie	600 - Technologie (Sciences appliquées)	Disponible

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