الفهرس الالي لمكتبة كلية العلوم و علوم التكنولوجيا

Titre :	Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....),
Editeur :	Paris : Hermes science
Année de publication :	cop. 2005.
Autre Editeur :	Lavoisier
Collection :	Traité EGEM
Importance :	1 vol. (234-IV p.)
Présentation :	ill.
Format :	25 *18cm.
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-7462-1172-8
Prix :	75 EUR
Note générale :	Éditeur ‏ : ‎ Hermes Science Publications (26 septembre 2005) Langue ‏ : ‎ Français Relié ‏ : ‎ 234 pages ISBN-10 ‏ : ‎ 2746211726 ISBN-13 ‏ : ‎ 978-2746211728 Poids de l'article ‏ : ‎ 490 g Dimensions ‏ : ‎ 16 x 24 cm
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	modélisation du transistor bipolaire intégré 2  extraction des paramètres  structure et technologie des HBT  apport des HBT
Index. décimale :	621.3
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.

Modélisation du transistor bipolaire intégré2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave (1947-....), Auteur ; Philippe Cazenave (1947-....),  . - Paris : Hermes science : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2005. . - 1 vol. (234-IV p.) : ill. ; 25 *18cm.. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-1172-8 : 75 EUR
Éditeur ‏ : ‎ Hermes Science Publications (26 septembre 2005)
Langue ‏ : ‎ Français
Relié ‏ : ‎ 234 pages
ISBN-10 ‏ : ‎ 2746211726
ISBN-13 ‏ : ‎ 978-2746211728
Poids de l'article ‏ : ‎ 490 g
Dimensions ‏ : ‎ 16 x 24 cm
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	modélisation du transistor bipolaire intégré 2  extraction des paramètres  structure et technologie des HBT  apport des HBT
Index. décimale :	621.3
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.